（5）如果${\rm {VD}}_{\rm z}$接反，则输出电压 $U_{\rm O}$变小，且调节范围变小。
A: Yes
B: No
A: Yes
B: No
举一反三
- （5）$L$和$C$的数值越大，输出电压$U_{\rm O}$平均值越大； A: Yes B: No
- （3）运算电路的描述方法采用运算关系式即 $u_{\rm {O}}= f(u_{\rm {I}})$。 A: No B: Yes
- 只要晶体三极管的b-e间电压$u_{\rm{BE}}$大于开启电压$U_{\rm{on}}$，它就工作在放大区。 A: Yes B: No
- 3．只要晶体三极管的b-e间电压[mathjaxinline]u_{\rm{BE}}[/]大于开启电压[mathjaxinline]U_{\rm{on}}[/]，它就工作在放大区。 A: Yes B: No
- 选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]