施主杂质掺杂将导致硅的费米能级如何移动（ ）
A: 向Ev移动
B: 向Ei移动
C: 向Ec移动
D: 不变
A: 向Ev移动
B: 向Ei移动
C: 向Ec移动
D: 不变
举一反三
- 对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: A: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
- 反手截击技术的身体重心是如何变化的？ A: 向后方移动 B: 维持不变 C: 向前下方移动 D: 向上方移动
- 反手截击技术的身体重心是如何变化的? A: 向后方移动 B: 向上方移动 C: 维持不变 D: 向前下方移动
- 以下关于“费米能级的变化”说法正确的是： A: 从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级。 B: 费米能级随掺杂浓度的增大向带边（导带底或价带顶）靠近。 C: 费米能级一直随温度升高而降低。 D: 费米能级一直随温度升高而增大。 E: 费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。 F: 费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。
- 化学反应 A: 向生成NO的方向移动 B: 向生成NO的方向移动 C: 不变 D: 无法判断