简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
（1）门极电压最高绝对值小于20V（2）门极阈值电压为2.5~5V（3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿（4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V（5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V（6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）（7）控制电路与驱动电路应隔离（8）简单实用，有保护，抗干扰强
举一反三
内容
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
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关于电力电子器件驱动,表述正确的是()。 A: GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分 B: MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定 C: IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定 D: MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定
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关于电力电子器件驱动，表述正确的是下面哪个？ A: IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。 B: GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 C: MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。 D: MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。
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关于IGBT，下面（ ）正确。 A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管； B: IGBT存在电导调制效应； C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快； D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
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电力MOSFET和IGBT属于____(电压,电流)驱动型器件。