抑制性突触电位产生的机制是（）
A: 突触前膜释放抑制性递质
B: 递质与突触后膜受体结合
C: 突触后膜对C1-通透性增加
D: 后膜去极化
A: 突触前膜释放抑制性递质
B: 递质与突触后膜受体结合
C: 突触后膜对C1-通透性增加
D: 后膜去极化
举一反三
- 关于突触前抑制的正确描述是: A: 突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极化电位 B: 突触前膜超极化,释放抑制性递质 C: 突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少 D: 突触前膜去极化,释放抑制性递质 E: 突触后膜受体不能与兴奋性递质结合
- 突触前膜释放的抑制性递质与突触后膜受体结合后，提高了突触后膜对（）尤其是（）的通透性。
- 突触前抑制的产生是由于：() 突触前膜部分超极化 B.突触后膜部分超极化 C突触后膜部分去极化 D突触前膜释放抑制性递质 E突触后膜释放抑制性递质
- 抑制性突出后电位的发生机制()。 A: 突触前膜释放兴奋性递质 B: 突触前膜释放抑制性递质 C: 突触后膜兴奋性下降 D: 突触后膜兴奋性提高
- 关于突触前抑制的正确描述是（） A: 突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位 B: 突触前膜超极化，释放抑制性递质 C: 突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少 D: 突触前膜去极化，释放抑制性递质