关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-05-27 JFET和耗尽型MOS管的栅—源电压为0V时______导电沟道，而增强型MOS管则______导电沟道。 A: 存在 B: 不存在 JFET和耗尽型MOS管的栅—源电压为0V时______导电沟道，而增强型MOS管则______导电沟道。A: 存在 B: 不存在 答案： 查看 举一反三 JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在导电沟道 栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管 当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型 当时,漏源之间存在导电沟道的称为____型MOS管,漏源之间不存在导电沟道的称为型MOS管。 增强型MOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
