关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。
A: A相同功率的锗管反向漏电流大于硅管
B: BNPN管反向漏电流小于PNP管
C: C电压越高越大
D: DNPN管反向漏电流大于PNP管
A: A相同功率的锗管反向漏电流大于硅管
B: BNPN管反向漏电流小于PNP管
C: C电压越高越大
D: DNPN管反向漏电流大于PNP管
举一反三
- 关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。 A: 相同功率的锗管反向漏电流大于硅管 B: NPN管反向漏电流小于PNP管 C: 电压越高越大 D: NPN管反向漏电流大于PNP管
- 关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。
- 关于硅管和锗管特性比较说法正确的是（） A: 硅管的死区电压和导通电压大 B: 硅管的反向电流大，单向导电性和温度稳定性好 C: 锗管死区电压和导通电压小，反向电流大 D: 锗管的单向导电性和温度稳定性较差
- NPN、PNP三极管工作放大状态时，其发射结（）。 A: A均加反向电压 B: B均加正向电压 C: CNPN管加正向电压，PNP管加反向电压 D: DNPN管加反向电压，PNP管加正向电压
- 在相同温度下，硅管的反向电流比锗管 A: 大 B: 小