中国大学MOOC: MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。
错
举一反三
内容
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当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
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N沟道的MOS场效应晶体管，随着漏源电压的增大，电子导电沟道逐渐减薄，达到饱和漏源电压时，源端出现夹断现象。
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增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时 。 A: 不能形成导电沟道 B: 能够形成导电沟道 C: 漏极电流不为零 D: 漏极电压为零
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当ugs=0时,漏源间存在导电沟道的称为耗尽型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为增强型场效应管
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电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。