rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。
举一反三
- rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 厄尔利电压(early voltage)的数值越小，说明MOS晶体管的沟道长度调制效应越明显，输出电阻rds越小。
- 厄尔利电压(early voltage)的数值越小，说明MOS晶体管的沟道长度调制效应越明显，输出电阻rds越小。 A: 正确 B: 错误
- 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（） A: 均为电压控制 B: 双极型晶体管为电压控制.场效应晶体管为电流控制 C: 均为电流控制 D: 双极型晶体管为电流控制.场效应品体管为电压控制
- 双极型晶体管的基区宽度调变效应越小,其厄尔利电压越(),共发射极增量输出电阻越()。(填“大”或“小”)