硅NPN型三极管饱和时、其集电极与发射极压降VCES的值是()。
A: 0.7V
B: 0.5V
C: 0.4V
D: 0.3V
A: 0.7V
B: 0.5V
C: 0.4V
D: 0.3V
举一反三
- PN型三极管大多为硅管，其发射结的正向压降一般为（）V。 A: 0.3~0.4 B: 0.4~0.5 C: 0.6~0.7 D: 0.8~0.9
- 硅三极管的饱和压降约为V,锗三极管的饱和压降约为V。
- 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） A: 0. 1V B: 0.7 V C: 0.3 V D: 0.5V
- 利用数字万用表判别三极管的性能时，对于NPN型三极管，当红表笔接b极，黑表笔接e，c极时，对性能良好的硅管，显示值一般在（）V，对于性能良好的锗管，显示一般在（）V。 A: 0.3～0.5；0.1～0.35 B: 0.5～0.7；0.1～0.35 C: 0.3～0.5；0.1～0.55 D: 0.5～0.7；0.1～0.55
- 硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V