设室温情况下某二极管已经正向导通，则当其正偏电压增加100mV时，正偏电流的变化是______。
A: 增加100%
B: 基本不发生变化
C: 远大于原值
D: 远小于原值
A: 增加100%
B: 基本不发生变化
C: 远大于原值
D: 远小于原值
举一反三
- 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V，则当其反偏电压值减少100mV时，反向电流的变化是______。 A: 远大于原值 B: 远小于原值 C: 变为0 D: 基本不发生变化
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V