电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。
举一反三
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
- 电力MOSFET（N沟道增强型），从转移特性中可以看出，栅源极间电压需要大于门槛电压，器件才能可靠导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- N沟道增强型绝缘栅场效应管中,栅源间加正向电压大于开启电压时,建立起导电沟道,产生漏极电流。