对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为场效应管和场效应管。
A: MOS；结型
B: 增强型；结型
C: 增加型；耗尽型
D: 耗尽型；结型
A: MOS；结型
B: 增强型；结型
C: 增加型；耗尽型
D: 耗尽型；结型
举一反三
- 对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为 场效应管和 场效应管。 A: MOS；结型 B: 增强型；结型 C: 增加型；耗尽型 D: 耗尽型；结型
- 栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管
- 结型场效应管和增强型MOS管的区别在于：即使栅源电压为零，结型场效应管的导电沟道 。