n型半导体在热平衡状态下，导带电子浓度______ 本征载流子浓度，价带空穴浓度______ 本征载流子浓度。费米能级______ 本征费米能级
大于;高于:)小于;低于:)大于;高于
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举一反三
- 半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
- N 型半导体少数载流子空穴的浓度_ ________ 本征半导体载流子空穴的浓度
- 本征半导体的特点是（） A: 电子和空穴浓度相等 B: 电子和空穴浓度不相等 C: 费米能级处于导带底和价带顶的中间 D: 费米能级处于价带底和导带顶的中间。
- 关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
- 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（） A: 表面处费米能级与本征费米能级重合 B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D: 表面势等于费米势的两倍 E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
内容
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本征半导体是指()。 A: 不含杂质和缺陷的半导体 B: 电子浓度和本征载流子浓度相等的半导体 C: 空穴浓度和本征载流子浓度相等的半导体 D: 电阻率最高的半导体
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p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级
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下列关于本征半导体，说法正确的有？ A: 本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体 B: 本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近 C: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度 D: 本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
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本征半导体中电子和空穴的载流子浓度不同。
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智慧职教: 热平衡状态下，本征半导体内部，电子浓度一定等于空穴浓度。