图中各二极管的导通压降均为0.7V，UO= V。[img=253x229]18039d260a8ee54.png[/img]
举一反三
- 硅二极管导通时的正向管压降约 ____v,锗二极管导通时的管压降约 ____v
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 理想二极管V构成的电路如下图所示，则( )。 [img=786x562]17de74d71225599.png[/img] A: V截止，Uo=-4V B: V导通，Uo=+4V C: V截止，Uo=+8V D: V导通，Uo=+12V
- 理想二极管V构成的电路如下图所示，则( )。 [img=786x562]18037a4ffaf1312.png[/img] A: V截止，Uo=-4V B: V导通，Uo=+4V C: V截止，Uo=+8V D: V导通，Uo=+12V
- 已知二极管的导通电压UD=0.7V。则电路的输出电压值Uo=（ ）V。[img=164x145]180315fb391d222.png[/img]