减小基区串联电阻RB的主要技术途径包括：
A: 采用双基极条；
B: 减少无源基区掺杂浓度；
C: 增加无源基区掺杂浓度；
D: 增加基极条和发射极条之间的距离；
A: 采用双基极条；
B: 减少无源基区掺杂浓度；
C: 增加无源基区掺杂浓度；
D: 增加基极条和发射极条之间的距离；
举一反三
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
- 对于双极型晶体管，下列叙述正确的是（ ）。 A: 基区厚、掺杂浓度低 B: 基区厚、掺杂浓度高 C: 基区薄、掺杂浓度高 D: 基区薄、掺杂浓度低
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
- 以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为 A: 增加发射区掺杂浓度 B: 增加基区掺杂浓度 C: 增加集电区掺杂浓度 D: 减少发射结结深
- 下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率 A: 提高发射区的掺杂浓度 B: 采用宽禁带基区材料 C: 减小基区掺杂浓度 D: 减少发射结复合电流