某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
A: P沟道管，工作在可变电阻区
B: N沟道管，工作在放大区
C: P沟道管，工作在放大区
D: N沟道管，工作在可变电阻区
A: P沟道管，工作在可变电阻区
B: N沟道管，工作在放大区
C: P沟道管，工作在放大区
D: N沟道管，工作在可变电阻区
C
举一反三
- 某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: P沟道管，工作在可变电阻区 B: N沟道管，工作在放大区 C: P沟道管，工作在截止区 D: N沟道管，工作在截止区
- 某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: N沟道增强型管，工作在可变电阻区 B: N沟道耗尽型管，工作在放大区 C: P沟道增强型管，工作在截止区 D: P沟道耗尽型管，工作在放大区
- 若一个增强型N沟道MOS管，开启电压为3V，源极电位为0V，栅极电位为5V，漏极电位为______时，工作在可变电阻区。 A: 1V B: 3V C: 5V D: 7V
- 若P沟道结型场效应管工作在放大状态，则栅极电位（ ）于源极电位。
- 中国大学MOOC: 某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
内容
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某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
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场效应管漏极特性有三个工作区。其中对于N沟道JFET或N沟道增强型MOS管工作在恒流区时的条件是(),工作在可变电阻区时,随着uGS的减小,它的压控电阻RDS就()。
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测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:[img=326x292]17869fb7e9ae872.png[/img] A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道结型FET管 C: P沟道耗尽型MOS管 D: N沟道结型FET管
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结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
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MOSFET转移特性曲线如图，iD参考方向为流入漏极，判断下列说法正确的是： 。[img=210x210]18030de2e3c5415.png[/img] A: 属于N沟道增强型MOS管 B: 属于P沟道增强型MOS管 C: 属于N沟道耗尽型MOS管 D: 属于P沟道耗尽型MOS管 E: VTN= -4 V F: VPN= -4 V G: VTP=-4 V H: VPP=-4 V