有关去耦电容，下列叙述何者错误：（）
A: 去耦电容利用了电容两端电压不能突然变化的特性
B: 一般都安排在电路板电源的附近
C: 多使用瓷片电容
D: 与旁路电容相比，去耦电容是要滤掉低频交流成分
A: 去耦电容利用了电容两端电压不能突然变化的特性
B: 一般都安排在电路板电源的附近
C: 多使用瓷片电容
D: 与旁路电容相比，去耦电容是要滤掉低频交流成分
举一反三
- 增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是() A: 在芯片当中的任一位置上放置一个电容 B: 靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容 C: 电源线下方应该放置去耦电容 D: 尽量远离要稳定的电源电压的电路
- 高速数字电路，一般每个器件福建均需配置一个去耦电容，去耦电容的作用是（）
- 在分析高频电路时，对于直流通路电容视为（），电感视为短路。对于交流通路隔直电容、旁路电容和去耦电容视为短路，高频扼流圈视为开路。
- 去耦电容的选取需要考虑电容耐压值，推荐电容耐压值为系统额定电压的倍到倍
- 在电路设计时，通常会在集成电路的电源供电引脚处放置一个小容量的对地电容，关于电容的描述正确的是。 A: 该电容为退耦电容 B: 退耦电容确保芯片供电稳定 C: 退耦电容可滤除电源的高频扰动 D: 退耦电容属于信号耦合电容