电池片SiNx：H薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在______?
A: 65nm, 1.8—1.9
B: 75+5nm, 2.0—2.1
C: 85+5nm, 2.2---2.3
D: 50—60nm, 2.5---2.61
A: 65nm, 1.8—1.9
B: 75+5nm, 2.0—2.1
C: 85+5nm, 2.2---2.3
D: 50—60nm, 2.5---2.61
举一反三
- 电池片SiNx：H薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在？ A: 65nm， 1.8-1.9 B: 75±5nm， 2.0-2.2 C: 90±5nm， 2.2-2.3 D: 50-60nm， 2.5-2.6
- 用白光垂直照射在折射率为1.4的薄膜上,如果紫光（λ=400nm）在反射光中消失，则此薄膜的最小厚度和紫光在薄膜中的波长分别为 A: 200 nm，285.7 nm B: 200 nm，400 nm C: 142.9nm,400 nm D: 142.9nm,285.7 nm
- 波长为600 nm的单色光垂直地照在牛顿环装置上，第2级明纹与第5 级明纹所对应的空气薄膜厚度之差为： A: 3000 nm B: 1800 nm C: 900 nm D: 600 nm
- .在玻璃(折射率n2＝1.60)表面镀一层MgF2 (折射率n2＝1.38)薄膜作为增透膜．为了使波长为500 nm(1nm=109m)的光从空气(n1＝1.00)正入射时尽可能少反射，MgF2薄膜的最少厚度应是 A: 78.1 nm B: 90.6 nm C: 125 nm D: 181 nm
- 在玻璃(折射率n2 =1.60)表面镀一层MgF2 (折射率n2 =1.38)薄膜作为增透膜。为了使波长为500 nm的光从空气(n1 =1.00)正入射时尽可能少反射，MgF2薄膜的最少厚度应是 A: 78.1 nm; B: 90.6 nm; C: 125 nm; D: 181 nm; E: 250nm.