当温度升高使费米能级等于施主能级时，施主杂质有1／3未电离。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
内容
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对于p型掺杂半导体，低温弱电离时，费米能级的位置（ ）。 A: 低于受主能级 B: 高于受主能级 C: 低于施主能级 D: 高于施主能级
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在强电离区，n型半导体的费米能级（ ）。 A: 高于施主能级 B: 低于施主能级 C: 高于受主能级 D: 低于受主能级
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施主能级接近导带、受主能级接近价带，相应的杂质称为深能级杂质。 A: 正确 B: 错误
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计算施主杂质浓度分别为[tex=14.071x1.429]ORQDPapBhpBbd8MaO2durCBOSUSrcxHm4Yt3tmuwVdjMikEpQpiTapkX7pL7AoD7Z1Uz4eV9F7tbwjYR3Z2lK/gDeRFo8Q386E3jznKdVZNs3QZhvlBtvFmktWBsGiBK[/tex]的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下, 上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的 0.05eV。
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低温极限时费米能级位于导带底和施主能级间的中线处。 A: 正确 B: 错误