一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]180304ce2712286.bmp[/img]
A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
举一反三
- 一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]18031ab11ab9e3f.bmp[/img] A: N-JFET，夹断电压Vp是- 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
- 一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]18031ab413270f8.bmp[/img] A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
- 智慧职教: 四个场效应管的输出特性如图所示(其中漏极电流的参考方向与实际方向一致)，试问它们是哪种类型的场效应管？若是耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS的大小；若是增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。（a）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) =（ ）V、IDSS =（ ）mA；（b）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) = （ ）V、IDSS = （ ）mA；（c）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V；（d）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V。
- 一场效应管漏极特性如图3－1所示，则（1）该场效应管管型为（________）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。
- For an n-channel JFET IDSS = 8 mA and Vp = -6 Volts. If ID = 6 mA. What is the value of the gate-to-source voltage, VGS=? _______ A: -0.8 V B: -1.5 V C: 0.1335 V D: -4.5 V