某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：http://image.zhihuish...9f87f21f1704d7f1.png
举一反三
- 某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：[img=302x247]17a3dbab2ee83db.png[/img]
- 如图1所示逻辑门电路，则输出F的表达式为（ ）。[img=232x273]1802da7b01d0252.png[/img] A: F = A+B+C； B: F = ABC； C: F = (A+B)C； D: F=AB+C。
- 某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。 A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 下图所示机构自由度计算,( )是正确的。 A: mg src="http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/cb07ca0fb12be985c301490389c1e187.jpg" B: F=3×7 –(2×9 + 2 – 2)– 2 = 1 C: F=3×7 –(2×9+ 2– 0)– 0 = 1 D: F=3×7 –(2×8+ 2 – 0)– 2 = 1 E: F=3×5 –(2×6+ 2– 0)– 0 = 1
- 定义函数如下：int f(int a, int b = 1, int c = 2) {return a + b + c;}则下列计算结果错误的是（ ）。 A: 表达式f(1)的值为4。 B: 表达式f(1, f(1))的值为7。 C: 表达式f(1, f(1), f(1))的值为9。 D: 表达式f(f(1), f(1))的值为11。