MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol，计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。
举一反三
- 对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K时的缺陷浓度( ) A: 6.1×10-3 B: 6.2×10-3 C: 6.4×10-3 D: 6.3×10-3
- 在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，且MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( ) A: 无法计算 B: 杂质缺陷 C: 相等 D: 热缺陷
- 在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中杂质缺陷占优势？( )
- 如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？ （ ） A: 对 B: 错
- 若在NaCl晶体中，含有0.02% mol的CaCl2杂质，则在800℃时，NaCl晶体中占优势的缺陷是？已知在NaCl晶体中，肖特基缺陷的形成能为2.4 eV。 A: 杂质缺陷 B: 肖特基缺陷 C: 弗伦克尔缺陷 D: 非化学计量缺陷