中国大学MOOC: 只有位错运动受到阻碍时，才可能导致位错增殖，否则一个位错滑移出晶体后，位错密度将减少。
举一反三
- 在晶体滑移过程中（） A: 由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少 B: 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高 C: 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少 D: 由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
- 晶体在滑移过程中,() A: 由于位错不断移出滑移面,位错密度随变形量增加而减少; B: 由于晶界不断吸收位错,位错密度随变形量增加而减少; C: 由于位错的增殖,位错密度会随变形量增加而增加; D: 由于位错不断移出滑移面和增殖的共同作用,位错密度基本不随变形量增加而发生变化。
- 晶体在滑移过程中，（） A: 由于位错不断滑出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少 B: 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增加 C: 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少 D: 由于位错的消失（移除滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
- 中国大学MOOC: 位错塞积必然阻碍位错运动
- 高温回复过程中位错的运动主要有（ ） A: 位错的攀移 B: 位错的滑移 C: 位错抵消 D: 位错增殖