非晶硅薄膜的带尾吸收区对应电子从导带边扩展态到价带尾态的跃迁，或者电子从价带尾态到导带边扩展态的跃迁。
举一反三
- 非晶硅薄膜的带尾吸收区对应电子从导带边扩展态到价带尾态的跃迁，或者电子从价带尾态到导带边扩展态的跃迁。 A: 正确 B: 错误
- 本征激发指的是哪种电子跃迁？? 受主态上的电子跃迁到价带。|价带的电子跃迁到导带。|施主态上的电子跃迁到导带。|导带的电子跃迁到价带。
- 硅晶体中的费米能级向高能级移动，可能对应以下情况发生 A: 导带电子浓度增加 B: 价带空穴浓度增加 C: 导带有效态密度Nc减少 D: 导带有效态密度Nc增加
- 电子从价带跃迁到导带的结果是形成一对电子和空穴，因此电子从价带到导带的热跃迁被称为电子-空穴对的（ ）过程。
- 半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A: 价带，导带 B: 价带，禁带 C: 禁带，导带 D: 导带，价带