兴奋性突触后电位是突触后膜对什么离子的通透性增加而引起的
举一反三
- 兴奋性突触后电位,是兴奋性突触的突触前神经元释放兴奋性递质,提高突触后膜对K+和Cl+通透性引起的
- 兴奋性突触后电位是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性而引起的
- 关于突触传递过程的叙述,错误的是 A: 兴奋性递质引起突触后膜产生兴奋性突触后电位 B: 抑制性递质引起突触后膜产生抑制性突触后电位 C: 突触后膜上的特异性受体是一种化学门控通道 D: 兴奋性突触后电位是发生在突触后膜的动作电位 E: 抑制性突触后电位降低突触后神经元的兴奋性
- 当突触前末梢释放的递质与突触后膜结合后（）。 A: 兴奋性递质引起突触后膜产生EPSP B: 兴奋性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位 C: 抑制性递质引起突触后膜产生IPSP D: 抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位 E: 兴奋性递质提高突触后膜对Na和K的通透性
- 对兴奋性突触后电位的叙述，错误的是 A: 突触前神经元释放兴奋性递质 B: 突触后膜产生除极化变化 C: 突触后膜对Ca2+通透性增加 D: 主要使突触后膜Na+内流 E: 兴奋只能由前膜向后膜传递