某fcc晶体中（点阵常数a=0.354nm），刃位错b=a[-110]/2 在（111）面上分解形成Shockley不全位错，则成立的有（ ）。
A: 反应式为a[-110]/2－a[-12-1]/3＋a[-211]/3
B: 反应式为a[-110]/2－a[-122]/6＋a[-21-2]/6
C: 反应式为a[-110]/2－a[-12-1]/6＋a[-211]/6
D: 反应式为a[-110]/2－a[-11-1]/4＋a[-110]/4
A: 反应式为a[-110]/2－a[-12-1]/3＋a[-211]/3
B: 反应式为a[-110]/2－a[-122]/6＋a[-21-2]/6
C: 反应式为a[-110]/2－a[-12-1]/6＋a[-211]/6
D: 反应式为a[-110]/2－a[-11-1]/4＋a[-110]/4
举一反三
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。A: a［-110］／2分解为［-211］/6+a［-12-1］/6； B: a［-110］／2 分解为［-110］／4+a［-111］/4。 A: A: a［-110］／2分解为［-211］/6+a［-12-1］/6； B: B: a［-110］／2 分解为［-110］／4+a［-111］/4 C: C: a［-110］／2 分解为［-110］／3+a［-111］/3 D: D. a［-110］／2 分解为［-110］／6+a［-111］/6
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为a［-110］／4+a［-111］/4 B: a［-110］／2 分解为a［-110］／6+a［-111］/6 C: a［-110］／2 分解为a［-211］/6+a［-12-1］/6 D: a［-110］／2 分解为a［-110］／3+a［-111］/3
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，依据位错反应的几何条件和能量条件，该全位错的分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为：a［-211］/6+a［-12-1］/6； B: a［-110］／2 分解为：a［-110］／4+a［-111］/4 C: a［-110］／2 分解为：a［-110］／3+a［-111］/3 D: a［-110］／2 分解为：a［-110］／6+a［-111］/6
- fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
- 层错宽度计算公式为d=（Gb1b2）／（2πγ）。某fcc晶体中，点阵常数为a=0.354nm，刃位错b=a［-110］／2 在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错 a［-211］/6 和 a［-12-1］/6，若金属的层错能为0.02[img=42x27]17de9246b7d46b5.png[/img],剪切模量为7×1010Pa。则层错宽度为（ ）。 A: 11.6nm B: 5.8nm C: 2.9nm D: 1.5nm