N型半导体和P型半导体结合在一起形成的称为PN结（）
A: 交界面
B: 负电荷区域
C: 空间电荷区
D: 正电荷区域
A: 交界面
B: 负电荷区域
C: 空间电荷区
D: 正电荷区域
C
举一反三
- 同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,在它们的交界面处形成的特殊区域称为PN结。
- N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
- 在P型半导体中,为多数载流子,而在N型半导体中,为多数载流子。当N型半导体和P型半导体结合在一起的时候,在交界面形成PN结,PN结具有导电性,即加正向电压时PN结,加反向电压时PN结。
- 在一块本征半导体上,通过特殊的加工工艺使其一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体,P型半导体和N为型半导体的交界处所形成的很薄的空间电荷区,就是PN结。
- P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做______。
内容
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当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，该区域可称为( )。 A: 阻挡层 B: 空间电荷区 C: 耗尽层 D: 突变层
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利用半导体技术的（）工艺，将P型半导体和N型半导体结合在一起，则其交界面便会形成一个PN结。 A: 发散 B: 节流 C: 扩散 D: 蒸发
- 2
将N型半导体和P型半导体用一定的工艺制作在一起，在交界面会形成PN结。（ ）
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PN结中空间正电荷区比空间负电荷区宽，说明N型半导体的掺杂浓度（ ）P型半导体的掺杂浓度。 A: 一样 B: 大于 C: 小于 D: 不确定
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关于PN结说法正确的是（） A: 多子的扩散的结果是使空间电荷区逐渐变窄，空间电荷区越窄，形成内电场。 B: P 型半导体和N 型半导体，在它们的交界面经过载流子的扩散和漂移，形成PN 结。 C: 内电场越强，使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 D: 扩散和漂移是一对相反的运动，最终达到平衡，电荷区内仍有净电荷运动，其厚度会变化