替位式扩散指间隙杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动。速度大于填隙式扩散。
举一反三
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
- 根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为 A: 替位式扩散 B: 恒定源扩散 C: 间隙式扩散 D: 有限源扩散
- 根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。 A: 填隙式扩散 B: 替位式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
- 对于不同的杂质，其扩散方式不同，下面对元素扩散叙述错误的有 A: P、As等ⅢA和ⅤA族元素具有电活性，在硅中有较高的固溶度，多以填隙式方式进行扩散，扩撒速度慢，属于慢扩散杂质。 B: Na、K、Li等ⅠA和ⅧA族元素通常无电活性，多以替位式方式进行扩散，扩撒速度快。 C: Au、Cu、Ni等大多数过渡元素，常以填隙-替位式进行扩散，电活性杂质位于替位，无电活性杂质位于间隙位置。
- 根据扩散的过程可以分为 A: 替位式扩散 B: 间隙式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散