填隙扩散的特点有（ ）。
A: 对硅掺杂水平无直接贡献
B: 填隙型杂质扩散很快
C: 对硅掺杂水平有直接贡献
D: 填隙型杂质扩散很慢
A: 对硅掺杂水平无直接贡献
B: 填隙型杂质扩散很快
C: 对硅掺杂水平有直接贡献
D: 填隙型杂质扩散很慢
举一反三
- 在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。 A: 填隙扩散 B: 杂质扩散 C: 推挤扩散 D: 自扩散
- 晶体中的空位、自填隙、杂质都对杂质扩散有影响，其中空位对P、B等慢扩散杂质的影响最大。
- 在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。 A: 推挤扩散 B: 杂质扩散 C: 填隙扩散 D: 自扩散
- 对于不同的杂质，其扩散方式不同，下面对元素扩散叙述错误的有 A: P、As等ⅢA和ⅤA族元素具有电活性，在硅中有较高的固溶度，多以填隙式方式进行扩散，扩撒速度慢，属于慢扩散杂质。 B: Na、K、Li等ⅠA和ⅧA族元素通常无电活性，多以替位式方式进行扩散，扩撒速度快。 C: Au、Cu、Ni等大多数过渡元素，常以填隙-替位式进行扩散，电活性杂质位于替位，无电活性杂质位于间隙位置。
- 根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。 A: 填隙式扩散 B: 替位式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散