杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。 （ ）
对
举一反三
- 关于本征半导体，下列描述错误的是（） A: 本征半导体受到热激发，会产生自由电子； B: 本征半导体中，电子和空穴总是成对产生； C: 温度越高，本征半导体中电子和空穴浓度越高； D: 本征半导体中的电子和空穴浓度不受外界环境影响。
- 关于本征半导体，下列描述错误的是（） A: 本征半导体受到热激发，会产生自由电子； B: 本征半导体中，电子和空穴总是成对产生； C: 温度越高，本征半导体中电子和空穴浓度越高； D: 本征半导体中的电子和空穴浓度不受外界环境影响。
- 在本征半导体中，本征激发产生的电子和空穴的浓度是不相等。
- 在本征半导体中，通过本征激发所产生的载流子是() A: 只有电子 B: 只有空穴 C: 电子-空穴对 D: 以上答案都不对
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。
内容
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本征激发后向半导体提供() A: 电子 B: 空穴 C: 电子空穴对 D: 离子
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以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
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本征半导体中的载流子有（）。 A: 自由电子 B: 空穴 C: 电子空穴对 D: 少量空穴和大量自由电子
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关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
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本征激发后向半导体提供（ ）。 A: 空穴 B: 电子 C: 电子和空穴 D: 带电粒子