1、 下面哪个图是耗尽型PMOS转移特性曲线（）
A: [img=184x189]1803d05fd2c1d2e.png[/img]
B: [img=170x190]1803d05fdd9c92d.png[/img]
C: [img=174x189]1803d05fe8f3c74.png[/img]
D: [img=197x190]1803d05ff2e500d.png[/img]
A: [img=184x189]1803d05fd2c1d2e.png[/img]
B: [img=170x190]1803d05fdd9c92d.png[/img]
C: [img=174x189]1803d05fe8f3c74.png[/img]
D: [img=197x190]1803d05ff2e500d.png[/img]
举一反三
- 下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线 A: [img=170x190]1803d0606245967.png[/img] B: [img=197x190]1803d0606d44e0c.png[/img] C: [img=184x189]1803d060793d4f5.png[/img] D: [img=174x189]1803d0608433af3.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802d3b369ab5fe.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802d3b372fb534.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802d3b37bbbf05.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18034b986fbc78a.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18034b98781508a.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18034b9880d080a.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18033e117e9725e.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18033e11879f263.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18033e1190d2ef2.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18036372a260d4c.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18036372aa45c90.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18036372b2a31e1.png[/img]