设有一电子在宽为0.20 nm的一维无限深的方势阱中. 当电子处于第、激发态(n=2)时,在势阱中何处出现的概率最小，其值为多少?
举一反三
- 中国大学MOOC: 设有一个电子在宽为0.20 nm一维无限深的方势阱中，当电子处于第一激发态时，在势阱何处出现的概率最小，其值为______
- 设有一个电子在宽为0.20 nm一维无限深的方势阱中，当电子处于第一激发态时，在势阱何处出现的概率最小，其值为______ A: 0 B: 1/8 C: 1/4 D: 1/2
- 设有一个电子在宽为0.20 nm一维无限深的方势阱中，当电子处于第一激发态时，在势阱何处出现的概率最小，其值为______ A: 0，0.20 nm B: 0.10 nm C: 0，0.10 nm，0.20 nm D: 0.05 nm，0.10 nm，0.15 nm
- 设有一电子在宽为[tex=3.286x1.0]ZQUaeiqmvkLtVZJ4jlrAnw==[/tex]的一维无限深的方势阱中.当电子处于第一激发态[tex=3.071x1.286]ohHIOdMfVkFA8VCz8kKS9A==[/tex]时,在势阱中何处出现的概率最小,其值为多少?
- 设有一电子在宽为0. 20 nm的一维无限深的方势阱中，(1)计算电子在最低能级的能量;(2)当电子处于第一激发态[tex=2.714x1.357]Od5sxvhrtoebV4oT7/S+Fg==[/tex]时，在势阱何处出现的概率最小,其值为多少?