n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：非均匀半导体材料，外加均匀电场，t=0时停止表面光照]
A: [img=172x45]1802f26a11be2f3.png[/img]
B: [img=115x45]1802f26a1a25c31.png[/img]
C: [img=260x45]1802f26a21f4e21.png[/img]
D: [img=104x45]1802f26a2aa9755.png[/img]
A: [img=172x45]1802f26a11be2f3.png[/img]
B: [img=115x45]1802f26a1a25c31.png[/img]
C: [img=260x45]1802f26a21f4e21.png[/img]
D: [img=104x45]1802f26a2aa9755.png[/img]
举一反三
- n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：非均匀半导体材料，外加均匀电场，t=0时停止表面光照] A: [img=172x45]1802f269edf2dd6.png[/img] B: [img=115x45]1802f269f862af2.png[/img] C: [img=260x45]1802f26a008c19d.png[/img] D: [img=104x45]1802f26a0912428.png[/img]
- n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：均匀半导体材料，外加均匀电场，光照在半导体材料中均匀产生非平衡载流子] A: [img=155x44]18034164ed712cd.png[/img] B: [img=115x45]18034164f705d90.png[/img] C: [img=251x45]1803416500acbba.png[/img] D: [img=161x45]180341650999a64.png[/img]
- n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：均匀半导体材料，无外加电场，光照稳定，且在半导体材料中均匀产生非平衡载流子] A: [img=83x47]1802f2684bb4ecc.png[/img] B: [img=115x45]1802f26854f56b2.png[/img] C: [img=251x45]1802f2685efdc24.png[/img] D: [img=161x45]1802f268678e22d.png[/img]
- n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：均匀半导体材料，无外加电场，光照稳定并在半导体材料中均匀产生非平衡载流子] A: [img=579x229]1802f269c48ab1e.png[/img] B: [img=734x231]1802f269cf22982.png[/img] C: [img=377x214]1802f269da158dd.png[/img] D: [img=519x226]1802f269e544660.png[/img]
- n型半导体中少数载流子的连续性方程在所给条件下的化简结果为：[条件：非均匀半导体材料，外加均匀电场，t=0时停止表面光照]