对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ）
A: [img=36x25]18037128488cdd9.png[/img]
B: [img=34x25]1803712850fac8d.png[/img]
C: [img=44x25]1803712859def22.png[/img]
D: [img=34x25]18037128627c580.png[/img]
A: [img=36x25]18037128488cdd9.png[/img]
B: [img=34x25]1803712850fac8d.png[/img]
C: [img=44x25]1803712859def22.png[/img]
D: [img=34x25]18037128627c580.png[/img]
举一反三
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]1803b2f7a140c6c.png[/img] B: [img=34x25]1803b2f7a90f03e.png[/img] C: [img=44x25]1803b2f7b1e636d.png[/img] D: [img=34x25]1803b2f7baf71d5.png[/img]
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]18038d2ba4b8905.png[/img] B: [img=34x25]18038d2bacb12d6.png[/img] C: [img=44x25]18038d2bb69bca3.png[/img] D: [img=34x25]18038d2bbf1d094.png[/img]
- D(X)=25,D(Y)=36,[img=58x17]17e0c5b1a8ccbe4.jpg[/img],则D(X+Y)=(),D(X-Y)=()
- 设[img=34x25]1802ddef305c65d.png[/img]和[img=36x25]1802ddef37cc261.png[/img]分别是随机变量X的概率密度和分布函数，则[img=88x27]1802ddef410ee5d.png[/img]一定是概率密度。
- 中国大学MOOC: 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ）