关于半导体直接跃迁和间接跃迁说法错误的是
A: 跃迁种类是半导体的固有性质
B: Ⅳ主族的元素半导体都是间接跃迁半导体
C: Ⅲ-Ⅴ族形成的二元化合物半导体都是直接带隙半导体
D: 跃迁种类不同，吸光系数和半导体禁带宽度间的关系不同
A: 跃迁种类是半导体的固有性质
B: Ⅳ主族的元素半导体都是间接跃迁半导体
C: Ⅲ-Ⅴ族形成的二元化合物半导体都是直接带隙半导体
D: 跃迁种类不同，吸光系数和半导体禁带宽度间的关系不同
举一反三
- 关于本征跃迁，以下说法正确的是？ A: 本征跃迁是本征吸收的逆过程 B: 对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁 C: 直接跃迁过程中只有光子和电子参与 D: 对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁 E: 间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与 F: 间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
- 在自然界中，存在着很多不同的物质，用其导电能力来衡量，可以分为（）。 A: 导体和绝缘体 B: 导体和半导体 C: 绝缘体和半导体 D: 导体、绝缘体和半导体
- 物质按导电能力强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 。 A: 导体 B: 绝缘体 C: 半导体
- 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体
- 半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。