由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。
A: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
B: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
C: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
D: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
A: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
B: n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
C: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
D: p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
