有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移
举一反三
- 有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移 A: 正确 B: 错误
- 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降
- 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 A: 正确 B: 错误
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 中国大学MOOC: 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？