MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 当时,实际MIS结构的C-V曲线相对于理想MIS结构的C-V曲线()移动。 A: 向上 B: 向下 C: 向左 D: 向右
- 中国大学MOOC: 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？
- 已知氧化层的电容密度，可以从理想MIS高频C-V曲线的测量直接求出半导体的（）。