对MIS电容有明显影响的是
A: 界面陷阱电荷 Qit
B: 氧化层中固定电荷 Qf
C: 氧化层中可动电荷 Qm
D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
A: 界面陷阱电荷 Qit
B: 氧化层中固定电荷 Qf
C: 氧化层中可动电荷 Qm
D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
举一反三
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
- Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
- 最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态
- MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
- MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。