对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。
A: 上，积累，下，耗尽或反型
B: 上，耗尽或反型，上，积累
C: 上，积累，上，耗尽或反型
D: 下，积累，下，耗尽或反型
A: 上，积累，下，耗尽或反型
B: 上，耗尽或反型，上，积累
C: 上，积累，上，耗尽或反型
D: 下，积累，下，耗尽或反型
C
举一反三
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？ A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 平坦能带 D: 本征状态 E: 少子反型 F: 少子积累 G: 少子耗尽
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？ A: 本征状态 B: 平坦能带状态 C: 多子积累状态 D: 深耗尽状态
- 若P型半导体表面电子浓度高于其体内平衡多子浓度，则半导体表面处于 A: 积累 B: 耗尽 C: 反型 D: 强反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
内容
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在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（） A: 积累，无 B: 耗尽，无 C: 反型，有 D: 积累，有
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MOS结构在不同的偏置电压下，半导体表面会出现哪些状态？ A: 多子积累状态 B: 多子耗尽状态 C: 少子耗尽状态 D: 反型状态
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理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？? 本征状态|少子耗尽|少子积累|少子反型
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对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累
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MIS结构的半导体表面( ) 时，表面近似为本征表面。 A: 多子积累 B: 平带 C: 耗尽 D: 反型