在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制
对
举一反三
- LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- 吸附速率慢、扩散速率慢或表面反应速率慢，都有可能是固体表面催化反应的控制步骤。
- 吸附速率慢、扩散速率慢或表面反应速率慢，都有可能是固体表面催化反应的控制步骤。 A: 正确 B: 错误
内容
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在气固催化反应的研究中,若反应速率为表面反应所控制,而产物吸附很弱,则在反应气体压力很高时,该催化反应的反应级数为:
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在低温结晶时，晶体成长速率主要受（）控制。 A: 扩散过程 B: 表面反应过程 C: 传热过程 D: 三者共同
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在淀积好金属层之外，通常采用LPCVD法来淀积SiO2。
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中国大学MOOC: LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
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催化剂颗粒扩散的无因次扩散模数(西勒模数）的值大小反应了表面反应速率与（ ）之比。 A: 扩散速率 B: 外扩散速率 C: 内扩散速率 D: 实际反应速率