随着温度的升高，N型半导体中的载流子数目变化为：
A: 自由电子变多，空穴变少。
B: 自由电子变少，空穴变多。
C: 自由电子变少，空穴变少。
D: 自由电子变多，空穴变多。
A: 自由电子变多，空穴变少。
B: 自由电子变少，空穴变多。
C: 自由电子变少，空穴变少。
D: 自由电子变多，空穴变多。
举一反三
- 【单选题】N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是();P型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。 A. 自由电子，空穴；空穴，自由电子 B. 空穴，自由电子，空穴，自由电子 C. 自由电子，空穴，自由电子，空穴 D. 空穴，自由电子，自由电子，空穴
- 温度升高后，在纯净半导体中，其电子和空穴的变化为（ ）。 A: 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B: 空穴增多，自由电子数目不变 C: 自由电子增多，空穴数目不变 D: 自由电子和空穴数目都不变
- 在P型半导体中多数载流子是( ),在N型半导体中多数载流子是( )。 A: 空穴/自由电子 B: 自由电子/空穴 C: 空穴/共价键电子 D: 负离子/正离子
- N型半导体中多数载流子是少数载流子是：（）。 A: 自由电子--自由电子 B: 空穴--空穴 C: 自由电子--空穴 D: 空穴--自由电子
- N型半导体中多数载流子是少数载流子是：（）。 A: 自由电子--自由电子 B: 空穴--空穴 C: 自由电子--空穴 D: 空穴--自由电子