MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是：
举一反三
- MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是( )。 A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行 B: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行 C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行 D: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用
- MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？ A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。 B: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。 C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。 D: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
- 中国大学MOOC: MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？
- 下列电力电子器件中,容易实现并联运行的是（ ）。 A: SCR B: GTO C: IGBT D: MOSFET
- 对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性