（3）当电源电压同取5V时，CMOS反相器输入噪声容限与TTL反相器输入噪声容限相比较，前者高。
举一反三
- 假设Vdd=5V，CMOS反相器的噪声容限均比TTL反相器的噪声容限高。
- CMOS反相器的噪声容限比TTL反相器的噪声容限大，所以CMOS反相器的抗干扰能力强
- 由于CMOS反相器的噪声容限一般大于TTL反相器的噪声容限，所以CMOS反相器的抗干扰能力强
- 假设Vdd=5V，CMOS反相器的噪声容限和TTL反相器的噪声容限各是多少？ A: CMOS噪声容限都是1.4V，TTL噪声容限是0.4V B: CMOS噪声容限都是1.4V，TTL低电平噪声容限0.4V，高电平噪声容限0.6V C: CMOS低电平噪声容限是1.4V，高电平噪声容限是1.2V，TTL低电平噪声容限0.3V，高电平噪声容限3.6 D: CMOS低电平噪声容限是1.4V，高电平噪声容限是1.2V，TTL的噪声容限都是0.4V
- 若电源电压是5V,CMOS反相器阈值电压是,TTL反相器的阈值电压是。