Reading Material—Intelligent Technologies ：
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举一反三
- 图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
- 请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
- 工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
- 对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
- 已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V