• 2021-04-14
    中国大学MOOC:如图电源+50V,发光二极管正向压降为+2.0V,反向击穿电压Ubr=-30V,请问电阻上的压降是(TP1对地电压):http://edu-image.nosdn.127.net/C262B684484AB62C6170F2464272517D.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100
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    内容

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      如图电源正5V,发光二极管正向压降为+1.8V,请问电阻上的压降是(TP1对地电压):[img=410x242]1802f8b27a3b82b.png[/img] A: 3.0V B: 4.2V C: 3.2V D: 1.8V

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      如图电源正5V,发光二极管正向压降为+1.8V,请问电阻上的压降是(TP1对地电压):[img=410x242]17de6e736d993b9.png[/img] A: 3.0V B: 4.2V C: 3.2V D: 1.8V

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      如图电源正5V,发光二极管正向压降为+1.8V,请问电阻上的压降是(TP1对地电压):[img=410x242]1802f8b201469d6.png[/img] A: 3.0V B: 4.2V C: 3.2V D: 1.8V

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      在常温下,硅二极管的门限电压约为(__)V,饱和导通后正向压降约为(__)V;锗二极管的门限电压约为(__)V,饱和导通后正向压降约为(__)V;发光二极管饱和导通后正向压降约为(__)V。

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      【填空题】常温下,硅二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V,锗二极管的死区电压为()V,导通后正向压降为()V