中国大学MOOC: 以下关于减少Si-SiO2氧化层中的可动电荷的措施中错误的是（ ）。
举一反三
- Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
- 以下关于减少Si-SiO2氧化层中的可动电荷的措施中错误的是（ ）。 A: 热氧化后用氢氟酸腐蚀掉1000~2000Å的一层SiO2 B: 用磷处理减少钠离子玷污的影响，因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用 C: 采用“无钠”清洁工艺 D: 用LPCVD生长氮化硅作表面钝化
- 以下关于减少Si-SiO2氧化层中的可动电荷的措施中错误的是（ ）。 A: 热氧化后用氢氟酸腐蚀掉1000~2000Å的一层SiO2 B: 用磷处理减少钠离子玷污的影响，因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用 C: 采用“无钠”清洁工艺 D: 用LPCVD生长氮化硅作表面钝化
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱