引起少数晶粒快速长大的原因可能包括
A: 部分晶粒的晶界未被第二相钉扎
B: 少数晶粒的取向处于非择优取向
C: 个别晶粒具有更低的表面能
D: 少数再结晶晶粒尺寸较大
A: 部分晶粒的晶界未被第二相钉扎
B: 少数晶粒的取向处于非择优取向
C: 个别晶粒具有更低的表面能
D: 少数再结晶晶粒尺寸较大
举一反三
- 再结晶晶粒异常长大的原因包括? 退火温度过低|多数晶界迁移阻力较大|晶粒间变形量不均匀|少数晶界迁移阻力小
- 再结晶晶粒异常长大的原因包括 A: 多数晶界迁移阻力较大 B: 少数晶界迁移阻力小 C: 退火温度过低 D: 晶粒间变形量不均匀
- 在再结晶完成后的晶粒中，有少数晶粒优先长大成为特别粗大的晶粒，这种晶粒的反常长大称为二次再结晶。
- 在材料的烧结过程中，二次再结晶是少数巨大晶粒在细晶粒消耗时的异常长大过程。这种二次再结晶属于 A: 吞并周围小晶粒而迅速长大 B: 平均晶粒尺寸的长大 C: 晶界移动的结果 D: 晶粒的正常生长
- 在再结晶完成后的晶粒中，有少数晶粒优先长大成为特别粗大的晶粒，这种晶粒的反常长大称为二次再结晶。 A: 正确 B: 错误