在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。
A: 减小低掺杂区的掺杂浓度
B: 提高P区和N区的掺杂浓度
C: 选用禁带宽度高的半导体材料
D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
A: 减小低掺杂区的掺杂浓度
B: 提高P区和N区的掺杂浓度
C: 选用禁带宽度高的半导体材料
D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
举一反三
- 在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
- 在一定温度下，关于突变结的接触电势差，下列说法正确的是 A: p区掺杂浓度越高，接触电势差越小 B: n区掺杂浓度越高，接触电势差越小 C: 禁带宽度越大，接触电势差越小 D: 本征载流子浓度越大，接触电势差越小
- 对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度和本征载流子浓度（ ） A: 增加 B: 减小 C: 不变
- PN结中空间正电荷区比空间负电荷区宽，说明N型半导体的掺杂浓度（ ）P型半导体的掺杂浓度。 A: 一样 B: 大于 C: 小于 D: 不确定
- 对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高,载流子浓度越高