关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-29 在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K时Si突变结的接触电势差VD为() A: 0.736V B: 0.976V C: 0.686V D: 0.876V 在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K时Si突变结的接触电势差VD为()A: 0.736VB: 0.976VC: 0.686VD: 0.876V 答案： 查看 举一反三 对于Si突变pn结来说，室温下接触电势差仅和各区的掺杂浓度相关。 PN结中掺杂浓度的数量级改变很大时，PN结内建电势差只有微小的变化。 （ ） 在一定温度下，关于突变结的接触电势差，下列说法正确的是 A: p区掺杂浓度越高，接触电势差越小 B: n区掺杂浓度越高，接触电势差越小 C: 禁带宽度越大，接触电势差越小 D: 本征载流子浓度越大，接触电势差越小 PN结内建电势的大小与（ ）无关 A: 制作PN结的材料 B: 温度 C: PN结面积 D: 掺杂浓度 掺杂浓度小的PN结中，雪崩击穿为主要的击穿机制。 （ ）
